Hall-Effekt Analyse

HCS L36

Präzise Hall-Effekt-Messungen an Halbleitern, Dünnschichten und modernen Werkstoffen

HCS L36: System zur Charakterisierung des Hall-Effekts

Das LINSEIS HCS L36 ist ein modulares Hall-Effekt-Charakterisierungssystem zur präzisen Bestimmung der elektrischen Transporteigenschaften von Halbleitern, Dünnschichten und Funktionsmaterialien. Es ermittelt gleichzeitig die Ladungsträgerkonzentration, die Hall-Mobilität, den Hall-Koeffizienten und den spezifischen Widerstand über einen weiten Temperaturbereich unter Vakuum oder in kontrollierten Atmosphären.

Mit drei Systemkonfigurationen, austauschbaren Probenhaltern und optionalen Seebeck-, Hall-Bar- und Beleuchtungsmodulen lässt sich das HCS L36 individuell an die Anforderungen in Forschung, Entwicklung und industrieller Qualitätskontrolle anpassen.

Unique Features

Icon für zertifizierte Qualität und Normkonformität

Elektronik-Upgrade

Die überarbeitete HCS L36-Elektronik bietet eine höhere Messgenauigkeit, verbesserte Signalstabilität und eine schnellere Datenerfassung. Eine optimierte Hardware-Architektur in Kombination mit intelligenter Steuerelektronik gewährleistet zuverlässige Hall-Effekt-Messungen über den gesamten Temperaturbereich.

Zu den Vorteilen der neuen Elektronik gehören:

  • Höhere Signalstabilität
    Gewährleistet zuverlässige Hall-Spannungsmessungen, selbst bei Proben mit geringer Mobilität oder hohem Widerstand.
  • Verbesserte Messgenauigkeit
    Die optimierte Elektronik minimiert das Rauschen und erhöht die Präzision bei der Bestimmung der elektrischen Transporteigenschaften.
  • Schnellere Datenerfassung
    Kürzere Messzeiten durch optimierte Steuerung und Signalverarbeitung.
  • Hervorragende Reproduzierbarkeit
    Die hochstabile Elektronik garantiert konsistente Ergebnisse bei wiederholten Messungen und im Langzeitbetrieb.

Neue Hardware-Funktionen

  • Halbach-Magnettechnologie
    Erzeugt ein äußerst homogenes Magnetfeld mit verbesserter Feldstabilität und ermöglicht so präzise und reproduzierbare Hall-Effekt-Messungen über den gesamten Probenbereich.
  • Modulares Probenhalterkonzept
    Austauschbare Plug-and-Play-Probenhalter unterstützen Van-der-Pauw-, Hall-Bar-, Seebeck- und Beleuchtungsmessungen und minimieren gleichzeitig die Rüstzeit.
  • Integrierte EPROM-Probenhaltererkennung
    Intelligente Probenhalter werden automatisch erkannt und die entsprechenden Messparameter direkt in die Software geladen, wodurch der Bedienungsaufwand reduziert und Einrichtungsfehler vermieden werden.
  • Breitbereichstemperaturkammer
    Die gasdichte Messkammer ermöglicht Hall-Messungen von kryogenen Temperaturen bis zu 600 °C unter Vakuum oder in kontrollierten Gasatmosphären.
  • Erweiterbare Systemarchitektur
    Das modulare Hardwarekonzept ermöglicht eine einfache Erweiterung von der „Basic“- zur „Advanced“- oder „Ultimate“-Konfiguration, einschließlich AC-Hall-Messungen, Integration eines Lock-in-Verstärkers und zusätzlicher Charakterisierungsmodule.

Designverbesserungen

Das überarbeitete HCS L36 vereint eine kompakte Anordnung der Bedienelemente mit verbesserter Zugänglichkeit und ergonomischer Bedienung. Das neue Gehäusedesign, das intuitive Touch-Display und die modulare Architektur vereinfachen den täglichen Betrieb und bieten gleichzeitig maximale Flexibilität für eine Vielzahl von Charakterisierungsaufgaben im Hall-Effekt-Bereich.

Das HCS L36 erkennt den eingesetzten Probenhalter mithilfe integrierter EPROM-Technologie automatisch. Die Messparameter werden automatisch geladen, wodurch sich die Einrichtungszeit verkürzt und das Risiko fehlerhafter Konfigurationen minimiert wird.

Das modulare Plug-and-Play-Konzept unterstützt eine Vielzahl von Probenhaltern für Van-der-Pauw-, Hall-Bar-, Seebeck- und Beleuchtungsmessungen. Die Probenhalter lassen sich innerhalb von Sekunden ohne Neukalibrierung austauschen, sodass sich das System schnell an unterschiedliche Anwendungen anpassen lässt.

Die LiEAP-Software vereint Messsteuerung, Automatisierung und fortschrittliche Datenauswertung auf einer einzigen Plattform. Automatisierte Messabläufe, eine intelligente Parameterverwaltung und ein umfassendes Berichtswesen steigern die Effizienz und gewährleisten gleichzeitig maximale Reproduzierbarkeit.

Dank des modularen Aufbaus lässt sich das HCS L36 an Ihre Anforderungen anpassen. Das System kann von der „Basic“- auf die „Advanced“- oder „Ultimate“-Konfiguration aufgerüstet und um optionale Module wie AC-Hall-Messungen, die Integration eines Lock-in-Verstärkers, Seebeck-Messungen oder Beleuchtungssysteme erweitert werden.

Highlights

Modulare Probenhalter

Austauschbare Halter für Van-der-Pauw-, Hall-Bar-, Seebeck- und Beleuchtungsmessungen.

Breiter Temperaturbereich: Messungen von
Tieftemperaturen (LN2) bis zu 600°C möglich.

Halbach Magnet Technology

Äußerst homogenes Magnetfeld für maximale Genauigkeit und Reproduzierbarkeit bei Hall-Messungen.

LiEAP-Softwareplattform

Integrierte Messsteuerung, Automatisierung und erweiterte Datenauswertung.

Plug-&-Play-Integration

Die intelligente EPROM-Erkennung identifiziert automatisch installierte Probenhalter und lädt die richtige Messkonfiguration.

Key Features

Großer Temperaturbereich

-196 °C bis +600 °C

Präzise Charakterisierung des Hall-Effekts – von kryogenen Temperaturen bis hin zur Hochtemperatur-Halbleiteranalyse.

 

Magnetfeld

Halbach-Magnet mit bis zu 0.5 Tesla

Äußerst homogenes Magnetfeld für maximale Messgenauigkeit und Reproduzierbarkeit bei Hall-Messungen.

Symbol für thermische Analyse elektronischer und elektrischer Materialien

Elektrische Parameter

4 Parameter in einer Messung

Gleichzeitige Bestimmung des Hall-Koeffizienten, der Ladungsträgerkonzentration, der Hall-Beweglichkeit und des spezifischen Widerstands.

Integrierte LINSEIS-Plattform

Die integrierte LINSEIS-Software bietet eine umfassende Lösung, die Hard- und Software für maximale Prozesssicherheit und Präzision vereint. Durch die einheitliche Plattform wird eine nahtlose Integration von Komponenten und Geräten externer Partner ermöglicht – für ein besonders robustes und zuverlässiges Gesamtsystem.

Fragen? Rufen Sie uns einfach an!

+49 (0) 9287/880 0

Unser Service ist Montag bis
Donnerstag von 8-16 Uhr erreichbar
und Freitag von 8-12 Uhr.

Wir sind für Sie da!

Spezifikationen

Gemessene Parameter: Hall-Koeffizient, Hall-Mobilität, Ladungsträgerkonzentration und spezifischer Widerstand

Temperaturbereich: -196 °C bis +600 °C

Magnetfeld: Bis zu 0.5 T homogener Halbach-Magnet

Entdecken Sie den leistungsstarken HCS L36 – entwickelt für maximale Genauigkeit und Flexibilität bei der Hall-Effekt-Charakterisierung:

  • Messverfahren: DC-Hall, AC-Hall (optional), Van-der-Pauw, Hall-Bar
  • Probenhalter: Standard-, Hall-Bar-, Seebeck-, beleuchtete und kundenspezifische Probenhalter
  • Probengröße: Bis zu 12,5 × 12,5 mm² mit Plug-and-Play-Probenhaltern
  • Atmosphären: Vakuum sowie kontrollierte Inert-, oxidierende oder reduzierende Gasatmosphären
  • Erweiterbares System: Erweiterbar von „Basic“ über „Advanced“ bis hin zu „Ultimate“ mit optionalen Seebeck-, AC-Hall- und Beleuchtungsmodulen

Methode

Charakterisierung des Hall-Effekts

Die Charakterisierung mittels Hall-Effekt ist eine der leistungsfähigsten Methoden zur Bestimmung der elektrischen Transporteigenschaften von leitenden und halbleitenden Materialien. Durch Anlegen eines Magnetfelds bei gleichzeitiger Durchleitung eines definierten Stroms durch die Probe lassen sich wichtige elektrische Parameter unter kontrollierten Temperatur- und Umgebungsbedingungen genau bestimmen.

Im Gegensatz zu Messungen, bei denen lediglich der elektrische Widerstand bestimmt wird, liefert der Hall-Effekt direkte Informationen über Art, Konzentration und Mobilität der Ladungsträger. Dies macht die Methode für die Halbleiterforschung, die Materialentwicklung und die Qualitätskontrolle unverzichtbar.

Das HCS L36 vereint präzise Magnetfelderzeugung, genaue Stromsteuerung und fortschrittliche Spannungserfassung in einer einzigen Plattform. Messungen können von kryogenen Temperaturen bis zu 600 °C, unter Vakuum oder in kontrollierten Gasatmosphären durchgeführt werden, was eine zuverlässige Charakterisierung moderner Halbleitermaterialien, Dünnschichten und funktionaler elektronischer Materialien ermöglicht.

Die Charakterisierung mittels Hall-Effekts ist besonders wertvoll für die Untersuchung von Ladungsträgerkonzentration, Hall-Mobilität, spezifischem Widerstand, Leitfähigkeit und Hall-Koeffizienten. Diese Parameter liefern umfassende Einblicke in Ladungstransportmechanismen und unterstützen die Entwicklung und Optimierung elektronischer Materialien und Bauelemente.

Funktionsprinzip des HCS L36 Basic

Der HCS L36 Basic bestimmt die elektrischen Transporteigenschaften von leitenden und halbleitenden Materialien mithilfe der klassischen Hall-Effekt-Methode. Dabei wird ein definierter elektrischer Strom an die Probe angelegt, während durch den integrierten Halbach-Magneten ein homogenes Magnetfeld erzeugt wird. Die daraus resultierende Hall-Spannung wird mit hoher Präzision gemessen.

Während jeder Messung erfasst das System kontinuierlich die wichtigsten elektrischen Parameter, die für eine umfassende Materialcharakterisierung erforderlich sind:

  • Hall-Spannung – Entsteht durch die Wechselwirkung zwischen dem elektrischen Strom und dem Magnetfeld.
  • Elektrischer Widerstand – Wird gleichzeitig gemessen, um den spezifischen Widerstand der Probe zu bestimmen.

Durch die Kombination beider Messungen unter identischen Bedingungen bestimmt das HCS L36 Basic präzise den Hall-Koeffizienten, die Ladungsträgerkonzentration, die Hall-Mobilität und den spezifischen Widerstand. Diese Konfiguration eignet sich ideal für die routinemäßige Charakterisierung von Volumenmaterialien, Dünnschichten und Halbleiterproben mittels des Hall-Effekts.

Funktionsprinzip des HCS L36 Advanced

Der HCS L36 Advanced erweitert die klassische Hall-Effekt-Messung durch die Integration einer temperaturgeregelten Messkammer. Proben können von kryogenen Temperaturen bis zu 600 °C unter Vakuum oder in kontrollierten Gasatmosphären charakterisiert werden, wobei hochstabile Magnetfeldbedingungen aufrechterhalten werden.

Während der Messung erfasst das System kontinuierlich:

  • Hall-Spannung – Zur Bestimmung des Hall-Koeffizienten und der Ladungsträgerkonzentration.
  • Elektrischer Widerstand – Für genaue Berechnungen des spezifischen Widerstands und der Leitfähigkeit.
  • Temperaturabhängige Materialeigenschaften – Charakterisiert über den gesamten Messbereich.

Die Kombination aus präziser Temperaturregelung, homogener Magnetfelderzeugung und automatisierter Datenerfassung ermöglicht eine umfassende Untersuchung von Ladungstransportmechanismen, temperaturabhängigem elektrischem Verhalten und Halbleiterleistung.

Funktionsprinzip des HCS L36 Ultimate

Der HCS L36 Ultimate vereint hochpräzise Hall-Effekt-Messungen mit fortschrittlicher Charakterisierung elektrischer Transporteigenschaften in einer vollständig modularen Plattform. Neben Standard-Hall-Messungen unterstützt das System optionale AC-Hall-, Seebeck-Koeffizienten-, Hall-Bar-, Gated-Hall-Bar– und Beleuchtungsmessungen, was eine vollständige Charakterisierung moderner Halbleitermaterialien und -bauelemente ermöglicht.

Während des Betriebs erfasst der HCS L36 Ultimate kontinuierlich mehrere elektrische Signale:

  • Hall-Spannung – Zur Bestimmung der Ladungsträgerkonzentration und der Hall-Mobilität.
  • Elektrischer Widerstand – Für präzise Messungen des spezifischen Widerstands und der Leitfähigkeit.
  • Weitere Transporteigenschaften – Wie beispielsweise der Seebeck-Koeffizient oder photoinduzierte elektrische Effekte (optional).

Seine modulare Hardware-Architektur, austauschbare Probenhalter und die integrierte LiEAP-Software bieten maximale Flexibilität für Forschung, Materialentwicklung und fortschrittliche Halbleitercharakterisierung unter präzise kontrollierten Umgebungsbedingungen.

Messgrößen bei Hall-Effekt-Messungen

Mithilfe des Hall-Effekts bestimmte elektrische Transporteigenschaften:

  • Hall-Koeffizient (RH)
  • Trägerkonzentration
  • Hall-Mobilität
  • Elektrischer spezifischer Widerstand
  • Elektrische Leitfähigkeit
  • Trägertyp (n-Typ / p-Typ)
  • Temperaturabhängige elektrische Eigenschaften
  • Magnetowiderstand (optional)

Thermoelectric properties using the optional Seebeck module:

  • Seebeck coefficient
  • Temperature-dependent Seebeck coefficient
  • Thermoelectric voltage
  • Carrier transport behavior
  • Material type verification
  • Thermoelectric material characterization

Photoelektrische Charakterisierung unter kontrollierter Beleuchtung:

  • Photoleitfähigkeit
  • Photoinduzierte Ladungsträgerkonzentration
  • Photoinduzierte Hall-Mobilität
  • Photoresponse
  • Ladungsträgerdynamik
  • Charakterisierung von Halbleitern unter Beleuchtung

Erweitern Sie Ihre Möglichkeiten zur Materialcharakterisierung

LSR-3 (LSR L33)

Seebeck-Koeffizient / Elektrische Leitfähigkeit / Harman-Methode / ZT an Modulen

DSC L63

Äußerst stabile Basislinie und hohe Reproduzierbarkeit über einen weiten Temperaturbereich von -170 °C bis 750 °C

LFA L52

Hochleistungs-LaserFlash zur Vermessung thermophysikalischer Eigenschaften

Fragen? Rufen Sie uns einfach an!

+49 (0) 9287/880 0

Unser Service ist Montag bis
Donnerstag von 8-16 Uhr erreichbar
und Freitag von 8-12 Uhr.

Wir sind für Sie da!

HCS L36 im Überblick – Funktionsweise, Anwendungsbereiche, Merkmale und häufig gestellte Fragen

Wie funktioniert eine Hall-Effekt-Messung?

Das HCS L36 misst die elektrischen Transporteigenschaften eines Materials, indem es einen definierten Strom anlegt und die Probe gleichzeitig einem homogenen Magnetfeld aussetzt. Die daraus resultierende Hall-Spannung wird zusammen mit dem elektrischen Widerstand verwendet, um Schlüsselparameter wie den Hall-Koeffizienten, die Ladungsträgerkonzentration, die Hall-Mobilität und den spezifischen Widerstand zu berechnen. Dieses zerstörungsfreie Verfahren wird häufig zur Charakterisierung von Halbleitern und in der Forschung an elektronischen Materialien eingesetzt.

Der HCS L36 eignet sich für eine Vielzahl von leitfähigen und halbleitenden Materialien, darunter:

  • Silizium (Si)
  • Galliumnitrid (GaN)
  • Siliziumkarbid (SiC)
  • Galliumarsenid (GaAs)
  • Indiumphosphid (InP)
  • Transparente leitfähige Oxide (ITO, AZO)
  • Dünnschichten und Beschichtungen
  • Thermoelektrische Materialien
  • Organische Halbleiter
  • Leitfähige Polymere

Dank des modularen Probenhalterkonzepts lässt sich das HCS L36 an verschiedene Anwendungen anpassen.

Zu den verfügbaren Probenhaltern gehören:

  • Van-der-Pauw-Probenhalter
  • Hall-Bar-Probenhalter
  • Gated-Hall-Bar-Probenhalter
  • Seebeck-Probenhalter
  • Beleuchteter Probenhalter
  • Maßgeschneiderte Probenhalter für spezielle Anwendungen

Alle Probenhalter verfügen über eine Plug-and-Play-Funktionalität mit automatischer Erkennung für eine schnelle und zuverlässige Einrichtung.

Je nach gewählter Konfiguration unterstützt das HCS L36:

  • Gleichstrom-Hall-Messungen
  • Wechselstrom-Hall-Messungen (optional)
  • Van-der-Pauw-Messungen
  • Hall-Bar-Messungen
  • Gated-Hall-Bar-Messungen
  • Seebeck-Koeffizienten-Messungen
  • Beleuchtete Hall-Messungen
  • Temperaturabhängige Hall-Messungen

Das HCS L36 ermittelt gleichzeitig mehrere wichtige elektrische Transporteigenschaften, darunter:

  • Hall-Koeffizient
  • Trägerkonzentration
  • Hall-Mobilität
  • Elektrischer spezifischer Widerstand
  • Elektrische Leitfähigkeit
  • Trägertyp (n-Typ / p-Typ)

Optionale Konfigurationen ermöglichen zusätzlich Seebeck-Koeffizienten- und photoelektrische Messungen.

Der Preis eines HCS L36-Systems hängt von der gewählten Konfiguration und zusätzlichen Optionen ab, wie z. B. dem Temperaturbereich, dem Ofentyp, dem Kühlsystem, den Automatisierungsfunktionen oder speziellen Messmodi. Da jedes System individuell auf Ihre spezifischen Anwendungsanforderungen zugeschnitten werden kann, können die Kosten erheblich variieren.

Für ein genaues Angebot nutzen Sie bitte unser Kontaktformular, um uns Ihre Anforderungen mitzuteilen – wir erstellen Ihnen gerne ein maßgeschneidertes Angebot.

Die Lieferzeit für ein HCS L36 hängt maßgeblich von den gewählten Optionen und der gewünschten Konfiguration ab. Zusätzliche Funktionen wie spezielle Öfen, erweiterte Temperaturbereiche, Automatisierung oder Sonderanpassungen können den Produktions- und Vorbereitungsaufwand erhöhen und somit die Lieferzeit verlängern.

Bitte kontaktieren Sie uns über unser Kontaktformular, um eine präzise Lieferzeitschätzung auf Grundlage Ihrer individuellen Anforderungen zu erhalten.

Je nach Systemkonfiguration führt das HCS L36 Messungen von kryogenen Temperaturen bis zu +600 °C durch. Die Messungen können unter Vakuum oder in kontrollierten Gasatmosphären durchgeführt werden, wodurch sich das System sowohl für die Grundlagenforschung als auch für die Charakterisierung von Hochtemperatur-Halbleitern eignet.

Ja. Das HCS L36 basiert auf einer modularen Plattform und lässt sich entsprechend Ihren wachsenden Forschungsanforderungen erweitern. Zu den optionalen Erweiterungen zählen AC-Hall-Messungen, Seebeck-Charakterisierung, Beleuchtungsmodule, zusätzliche Probenhalter und erweiterte Messkonfigurationen.

Das HCS L36 ist in drei Konfigurationen erhältlich:

  • Basic – Standard-Hall-Effekt-Messungen für die routinemäßige Charakterisierung.
  • Advanced – Erweiterter Temperaturbereich und zusätzliche Umgebungssteuerung.
  • Ultimate – Plattform mit vollem Funktionsumfang, die AC-Hall-, Seebeck-, Beleuchtungs- und Hall-Bar-Messungen sowie fortgeschrittene Forschungsanwendungen unterstützt.

Software

Werte sichtbar und vergleichbar machen

Funktionen zur Hall-Messung

  • Automatische Berechnung des Hall-Koeffizienten
  • Bestimmung der Ladungsträgerkonzentration
  • Berechnung der Hall-Mobilität
  • Bewertung von spezifischem Widerstand und Leitfähigkeit
  • Identifizierung von n-Typ- und p-Typ-Ladungsträgern
  • Van-der-Pauw-Auswertung
  • Hall-Bar-Auswertung
  • Temperaturabhängige Hall-Analyse
  • Serienmessungen und automatisierte Messabläufe
Messgrößen berechnen

Allgemeine Softwarefunktionen

  • Moderne, Windows®-basierte Benutzeroberfläche
  • Intuitiver Arbeitsablauf für eine schnelle Versuchsvorbereitung
  • Automatische Erkennung von Geräten und Probenhaltern
  • Benutzer- und Berechtigungsverwaltung
  • Integrierte Messdatenbank
  • Automatische Berichterstellung
  • Projektbasierte Datenorganisation
  • Export in die Formate CSV, Excel und ASCII

Funktionen zur Hall-Messung

  • Automatische Berechnung des Hall-Koeffizienten
  • Bestimmung der Ladungsträgerkonzentration
  • Berechnung der Hall-Mobilität
  • Bewertung von spezifischem Widerstand und Leitfähigkeit
  • Identifizierung von n-Typ- und p-Typ-Ladungsträgern
  • Van-der-Pauw-Auswertung
  • Hall-Bar-Auswertung
  • Temperaturabhängige Hall-Analyse
  • Serienmessungen und automatisierte Messabläufe

Applikationen

Halbleiter & Elektronik

Die kontinuierliche Weiterentwicklung von Halbleiterbauelementen erfordert eine hochpräzise Charakterisierung der elektrischen Transporteigenschaften während des gesamten Materialentwicklungsprozesses. Hall-Effekt-Messungen liefern wesentliche Informationen über Ladungsträgerkonzentration, Mobilität, spezifischen Widerstand und Leitfähigkeit und ermöglichen so ein detailliertes Verständnis der Ladungstransportmechanismen in Halbleitern und Dünnschichten.

Mit dem LINSEIS HCS L36 lassen sich diese Parameter über einen weiten Temperaturbereich und unter kontrollierten Umgebungsbedingungen mit hoher Präzision bestimmen. Das System unterstützt Forschung, Prozessoptimierung und Qualitätssicherung für Halbleiterwafer, Dünnschichten, thermoelektrische Materialien und moderne elektronische Bauteile.

Anwendungsbeispiel: Antimon-Dünnschicht (150 nm Sb)

Antimon (Sb) ist ein Halbmetall, das im Bereich der Thermoelektrik (in Form von Legierungen, z. B. Bi₁ − x Sb x) weit verbreitet ist und zunehmend auch in der Mikroelektronik zum Einsatz kommt. Die größte Anwendungsdomäne für metallisches Antimon sind jedoch Blei-Antimon-Platten in Blei-Säure-Batterien. Die Abbildung zeigt eine vollständige Charakterisierung eines durch Sputterabscheidung hergestellten Dünnfilms auf einem SiO₂/Si-Substrat mit dem Linseis HCS L36 Basic (Option „RT bis 200 °C“).

Anwendungsbeispiel: Bismut-Antimon-Dünnschicht (150 nm Bi₈₇Sb₁₃)

Wismut-Antimon-Legierungen (Bi₁ − x Sb x) sind binäre Legierungen aus Wismut und Antimon in verschiedenen Mischungsverhältnissen. Insbesondere die Legierung Bi₀,₉Sb₀,₁ war der erste dreidimensionale topologische Isolator, der experimentell nachgewiesen wurde. Diese Materialien weisen leitende Oberflächenzustände auf, ihr Inneres ist jedoch isolierend. Verschiedene BiSb-Legierungen werden auch in thermoelektrischen Bauelementen für den Tieftemperaturbereich eingesetzt. Die vorgestellte Messung wurde an einem thermisch aufgedampften Bi₈₇Sb₁₃-Dünnfilm durchgeführt.

Anwendungsbeispiel: N-Typ-Galliumnitrid (1 μm) bis zu 600 °C

Eine 1 μm dicke n-Typ-Galliumnitrid (GaN)-Schicht wurde mit dem HCS L36 Basic von Raumtemperatur bis zu 600 °C charakterisiert. Der temperaturabhängige Hall-Koeffizient zeigt einen kontinuierlichen Anstieg, gefolgt von einem stabilen Plateau bei höheren Temperaturen, was zuverlässige und reproduzierbare Messungen über den gesamten Temperaturbereich hinweg belegt.

Anwendungsbeispiel: ITO (Indium-Zinn-Oxid) bis zu 200 °C

Indium-Zinn-Oxid (ITO) ist ein transparentes leitfähiges Oxid (TCO), das in Displays, Touchscreens und photovoltaischen Bauelementen weit verbreitet ist. Es vereint eine hohe elektrische Leitfähigkeit mit hervorragender optischer Transparenz und ist damit ein ideales Material für optoelektronische Anwendungen. Die mittels Sputterverfahren aufgebrachte ITO-Schicht wurde mit dem LINSEIS HCS L36 Basic in einem Temperaturbereich von Raumtemperatur bis 200 °C charakterisiert.

Anwendungsbeispiel: Doppelschicht aus CuNi und Ti (300+60 nm) – HCS Basic vs. Advanced

Eine CuNi/Ti-Zweischicht-Dünnschicht (300 nm CuNi + 60 nm Ti) wurde von Raumtemperatur
bis 200 °C sowohl mit dem LINSEIS HCS Basic als auch mit dem LINSEIS HCS Advanced charakterisiert.

Temperaturabhängige Messungen des Hall-Koeffizienten und der Ladungsträgermobilität zeigen
eine hervorragende Übereinstimmung zwischen den beiden Systemen über den gesamten Temperaturbereich.

Die Ergebnisse zeigen, dass das HCS Basic eine zuverlässige und hochgradig reproduzierbare Hall-Charakterisierung
für die routinemäßige Materialanalyse bietet, während das HCS Advanced auf dieser bewährten
Leistung aufbaut und über einen erweiterten Funktionsumfang für anspruchsvollere Forschungsanwendungen
sowie fortgeschrittene elektrische Charakterisierung verfügt. Dies gewährleistet die vollständige Kompatibilität der
Messmethoden und die Zuverlässigkeit beim Datenaustausch zwischen den beiden Plattformen.

  • Direkter Vergleich von HCS Basic und HCS Advanced
  • CuNi/Ti-Zweischicht-Dünnfilm (300 nm + 60 nm)
  • Temperaturbereich: Raumtemperatur bis 200 °C
  • Bestimmung des elektrischen spezifischen Widerstands, der Hall-Koeffizienten und der Ladungsträgerbeweglichkeit
  • Hervorragende Übereinstimmung zwischen beiden Geräten
  • Nahtloser Übergang von Routinemessungen zu anspruchsvollen Forschungsanwendungen

Bestens informiert

Downloads

Alles auf einen Blick

HCS L36

Präzise Hall-Effekt-Messungen an Halbleitern, Dünnschichten und modernen Werkstoffen

Hall HCS