Analyse des matériaux pour l'électronique et les semi-conducteurs
Caractérisation précise des semi-conducteurs, des couches minces et des composants électroniques à des fins de recherche, de développement et de fabrication
Les semi-conducteurs et les composants électroniques constituent le fondement des technologies modernes – des microprocesseurs et de l’électronique de puissance aux capteurs, en passant par les LED et les systèmes photovoltaïques. À mesure que la densité de puissance augmente et que la miniaturisation s’accélère, les exigences en matière de qualité des matériaux, de dissipation thermique et de fiabilité s’intensifient également.
Le développement de l’électronique moderne nécessite une compréhension approfondie des propriétés thermiques, électriques et structurelles des matériaux. Les méthodes d’analyse modernes fournissent des informations essentielles sur la conductivité thermique, la stabilité thermique, les propriétés électriques, les structures en couches et les processus de vieillissement.
Forte de plus de 69 ans d’expérience, LINSEIS propose des solutions pour la caractérisation des matériaux semi-conducteurs, des couches minces et des composants électroniques dans les domaines de la recherche, du développement et du contrôle qualité industriel.
Applications typiques dans le domaine de l'électronique et des semi-conducteurs
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Méthodes de mesure pour l'électronique et les semi-conducteurs
Analyse Flash Laser (LFA)
Détermination de la conductivité thermique, de la conductivité de température et de la diffusion thermique pour une gestion thermique efficace des semi-conducteurs et des composants électroniques.
Analyseur de fréquence laser à couche mince (TF-LFA)
Caractérisation des propriétés thermiques des couches minces et des interfaces pour la microélectronique moderne et les technologies des semi-conducteurs.
Analyseur de couches minces (TFA)
Analyse de la conductivité thermique de couches ultra-minces, de revêtements et de matériaux électroniques à des fins de recherche et d’optimisation des procédés.
Analyse par effet Hall (HCS)
Détermination de la concentration en porteurs de charge, de la mobilité et de la résistance électrique en vue du développement de matériaux semi-conducteurs modernes.
Calorimétrie différentielle à balayage (DSC)
Analyse des transitions de phase, de la capacité thermique et des réactions des durcisseurs dans les matériaux d’emballage, les adhésifs et les matériaux électroniques.
Analyse thermique simultanée (STA)
Analyse simultanée des variations de masse et des effets thermiques afin d’étudier la stabilité thermique et les processus de vieillissement des matériaux électroniques.
Équipements recommandés pour les applications liées aux polymères
Les meilleurs appareils
TF-LFA L54
Autres appareils
CAL L92 - Calorimètre Micro-
DSC L63
IBC L91
Testeur TEG (TEG L34)
LSR-3 (LSR L31)
PLH L53 - Chauffage périodique par laser
Exemples de mesures tirés de la pratique
Des mesures réalisées en conditions réelles montrent comment les méthodes d’analyse modernes sont mises à profit pour résoudre des problèmes concrets liés aux polymères.
Optimisation du p-GaN grâce à des mesures de l'effet Hall
Les mesures par effet Hall permettent de déterminer avec précision la concentration en porteurs de charge, la mobilité et la résistance électrique dans les matériaux semi-conducteurs. Dans cet exemple pratique, des couches de GaN dopées au magnésium sont analysées à l’aide du LINSEIS HCS L36 afin d’évaluer l’influence du dopage sur les propriétés de transport électrique et les performances des semi-conducteurs modernes à large bande interdite.
Propriétés de transport électrique des couches minces de Sb₂Te₃
Les propriétés de transport électrique des couches minces sont déterminantes pour le développement d’applications modernes dans les domaines des semi-conducteurs et de la thermoélectricité. Grâce au LINSEIS TFA L59 permet de déterminer avec précision les propriétés de résistance et de porteurs de charge en fonction de la température. Cet exemple pratique présente la caractérisation de couches minces de Sb₂Te₃ déposées par ALD et fournit des informations importantes sur le comportement de transport électrique dans les matériaux fonctionnels en couches minces.