Analisi dei materiali per l'elettronica e i semiconduttori
Caratterizzazione precisa di semiconduttori, film sottili e componenti elettronici per la ricerca, lo sviluppo e la produzione
I semiconduttori e i componenti elettronici sono alla base delle tecnologie moderne: dai microprocessori e dall’elettronica di potenza ai sensori, fino ai LED e ai sistemi fotovoltaici. Con l’aumentare della densità di potenza e della miniaturizzazione, crescono anche i requisiti in termini di qualità dei materiali, dissipazione del calore e affidabilità.
Lo sviluppo dell’elettronica moderna richiede una profonda comprensione delle proprietà termiche, elettriche e strutturali dei materiali. I moderni metodi di analisi forniscono informazioni importanti sulla conducibilità termica, la stabilità termica, le proprietà elettriche, le strutture a strati e i processi di invecchiamento.
Con oltre 69 anni di esperienza, LINSEIS offre soluzioni per la caratterizzazione di materiali semiconduttori, film sottili e componenti elettronici nei settori della ricerca, dello sviluppo e del controllo qualità industriale.
Applicazioni tipiche per l'elettronica e i semiconduttori
Scegli la tua applicazione specifica e scopri informazioni dettagliate sulla caratterizzazione dei materiali, sui metodi di misurazione e sulle soluzioni innovative per i moderni sistemi elettronici
Materiali a banda larga
Analisi di semiconduttori SiC, GaN e altri semiconduttori a banda larga per l’elettronica di potenza, le applicazioni ad alta temperatura e una gestione termica efficiente.
Metodi di misurazione per l'elettronica e i semiconduttori
Analisi Laser Flash (LFA)
Determinazione della conducibilità termica, della conducibilità termica e della diffusione termica per una gestione termica efficiente nei semiconduttori e nei componenti elettronici.
Termoriflettanza nel dominio della frequenza (TF-LFA)
Caratterizzazione delle proprietà termiche di strati sottili e interfacce per la microelettronica moderna e le tecnologie dei semiconduttori.
Analisi a film sottile (TFA)
Analisi della conducibilità termica di strati ultrasottili, rivestimenti e materiali elettronici per la ricerca e l’ottimizzazione dei processi.
Analisi dell'effetto Hall (HCS)
Determinazione della concentrazione dei portatori di carica, della mobilità e della resistenza elettrica per lo sviluppo di materiali semiconduttori moderni.
Calorimetria differenziale dinamica (DSC)
Analisi delle transizioni di fase, della capacità termica e delle reazioni di indurimento nei materiali da imballaggio, negli adesivi e nei materiali elettronici.
Calorimetria differenziale dinamica (DSC)
Analisi simultanea delle variazioni di massa e degli effetti termici per lo studio della stabilità termica e dei processi di invecchiamento dei materiali elettronici.
Apparecchi consigliati per applicazioni con polimeri
I migliori dispositivi
HCS L36
Altri dispositivi
CAL L92 - Calorimetro micro
DSC L63
TGA HP L85
TGA L83
STA HP L85
Tester TEG (TEG L34)
LSR-3 (LSR L33)
PLH L53 - Riscaldamento laser periodico
LFA L52
STA L81
Esempi di misurazioni selezionati tratti dalla pratica
Le misurazioni pratiche mostrano come i moderni metodi di analisi vengano utilizzati per risolvere problemi concreti legati ai polimeri.
Ottimizzazione delle proprietà elettriche del p-GaN tramite misurazioni dell'effetto Hall
Le misurazioni con l’effetto Hall permettono di determinare con precisione la concentrazione dei portatori di carica, la mobilità e la resistenza elettrica nei materiali semiconduttori. In questo esempio pratico, gli strati di GaN drogati con Mg vengono analizzati con il LINSEIS HCS L36 per valutare l’influenza del drogaggio sulle proprietà di trasporto elettrico e sulle prestazioni dei moderni semiconduttori a banda larga.
Proprietà di trasporto elettriche dei film sottili di Sb₂Te₃ realizzati con ALD
Le proprietà di trasporto elettrico dei film sottili sono fondamentali per lo sviluppo delle moderne applicazioni nel campo dei semiconduttori e dei materiali termoelettrici. Con il LINSEIS TFA L59 è possibile determinare con precisione le proprietà di resistenza e dei portatori di carica in funzione della temperatura. Questo esempio pratico illustra la caratterizzazione di film sottili di Sb₂Te₃ depositati tramite ALD e fornisce importanti informazioni sul comportamento di trasporto elettrico nei materiali funzionali a film sottile.