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Analyse thermoélectrique pour les semi-conducteurs et l’électronique

Les semi-conducteurs tels que le silicium (Si), le germanium (Ge), l’arséniure de gallium (GaAs) ou le sulfure de cadmium (CdS) sont devenus indispensables en électrotechnique. Non seulement ils constituent la base des appareils électroniques tels que les ordinateurs, les écrans et les téléphones intelligents, mais ils deviennent également de plus en plus importants dans la production de lumière.

Les matériaux semi-conducteurs et les composants électroniques basés sur ces divers matériaux et sur un processus de fabrication difficile sont difficiles à analyser et à caractériser. Le remède est apporté par les techniques de mesure thermoanalytique modernes qui, entre autres, apportent des réponses aux questions suivantes :

  • Dans quelles circonstances une puce de silicium se brise-t-elle ?
  • Quelle est la conductivité thermique d’un composant électronique ?
  • Quel est le comportement des capteurs thermiques à des températures très élevées ?
  • Le système adhésif a-t-il suffisamment durci ?
  • Le trajet thermique d’un composant indique-t-il des points faibles ?

Le comportement thermique des composants semi-conducteurs pendant l’application peut être déterminé à l’aide de méthodes de mesure thermoanalytiques ainsi que l’efficacité des étapes du processus, y compris la structure des couches et les propriétés d’adhésion. Le contrôle des profils d’implantation (par exemple, le bore dans le silicium) ou de l’air des salles blanches (par exemple, les composants organiques) peut également être réalisé.

Que votre tâche soit le développement de produits, le contrôle qualité, l’optimisation des processus ou l’analyse des dommages, Linseis peut vous fournir le produit adéquat pour améliorer vos investigations. Il existe d’innombrables domaines d’application pour les méthodes d’analyse thermique telles que la calorimétrie différentielle à balayage (DSC), la thermogravimétrie (TGA) ou la mesure du transport thermique (TCA) et électrique (HCS) en utilisant la technique LaserFlash (LFA) ou notre plateforme LSR éprouvée. LINSEIS est à l’avant-garde en matière de capacité des produits.

plaquette de silicium

plaquette de silicium

résistances

résistances

puce électronique

puce électronique

les composants électroniques

les composants électroniques :circuit imprimé

Applications avec les semi-conducteurs

 

HCS – Coefficient de Hall – Antimoine de Bismuth

App. Nr. 02-010-002 HCS - Coefficient de Hall - Semi-conducteurs inorganiques

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Système de Hall – Coefficient de Hall – Oxyde d’étain et d’indium (ITO)

App. Nr. 02-010-003 Système de Hall - Coefficient de Hall - Inorganiques ou semi-conducteurs

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HCS – Coefficient de Hall – Couche mince d’antimoine

App. Nr. 02-010-003 Système de Hall - Coefficient de Hall - Inorganiques ou semi-conducteurs

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LSR – Tellurure de bismuth – Chiffre du mérite ZT

App. Nr. 02-009-002 LSR - Tellurure de bismuth -Figure du mérite ZT Coefficient de Seebeck Conductivité électrique Conductivité thermique Propriétés thermoélectriques

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LSR – Coefficient de Constantan – Seebeck

App. Nr. 02-009-004 LSR - Coefficient de Constantan - Seebeck - Propriétés thermoélectriques

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LSR – Alliage silicium-germanium – Coefficient Seebeck

App. Nr. 02-009-001 LSR - Alliage silicium-germanium - Coefficient Seebeck Conductivité électrique

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TFA – film mince thermoélectrique Au

App. Nr. 02-013-002 TFA - film mince thermoélectrique - propriétés thermoélectriques - métaux et alliages 2

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TFA – film mince thermoélectrique Bi87Sb13

App. Nr. 02-013-001 TFA - film mince thermoélectrique - propriétés thermoélectriques - semi-conducteur

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TFA – film mince thermoélectrique PEDOT:PSS

App. Nr. 02-013-003 TFA - film mince thermoélectrique - propriétés thermoélectriques - semi-conducteur

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LSR – Cuivre – Conductivité électrique

App. Nr. 02-009-005 LSR - Cuivre - Conductivité électrique

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LSR – Coefficient de Constantan – Seebeck

App. Nr. 02-009-003 LSR - Coefficient de Constantan - Seebeck - Propriétés thermoélectriques

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