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Análisis Termoeléctrico para Semiconductores y Electrónica

Los semiconductores como el silicio (Si), el germanio (Ge), el arseniuro de galio (GaAs) o el sulfuro de cadmio (CdS) se han vuelto indispensables en la ingeniería eléctrica. No sólo constituyen la base de dispositivos electrónicos como computadoras, pantallas y teléfonos inteligentes, sino que también están adquiriendo cada vez más importancia en la generación de luz.

Los materiales semiconductores y los componentes electrónicos basados en estos diversos materiales y el difícil proceso de fabricación son difíciles de analizar y caracterizar. El remedio lo proporcionan las modernas técnicas de medición termoanalítica que, entre otras cosas, dan respuesta a las siguientes preguntas:

  • ¿Bajo qué circunstancias se rompe un chip de silicio?
  • ¿Cuál es la conductividad térmica de un componente electrónico?
  • ¿Qué comportamiento muestran los sensores térmicos a temperaturas muy altas?
  • ¿El sistema adhesivo se ha endurecido lo suficiente?
  • ¿La trayectoria del calor de un componente indica puntos débiles?

El termal el comportamiento de los componentes semiconductores durante la aplicación puede serdeterminado con métodos de medición termoanalítica, así como la eficiencia de los pasos del proceso, incluyendo la estructura de la capa y las propiedades de adhesión. También se puede realizar el control de los perfiles de implantación (por ejemplo, el boro en el silicio) o del aire de la sala limpia (por ejemplo, los componentes orgánicos).

Ya sea que su tarea sea el desarrollo de productos, control de calidad, optimización de procesos o análisis de daños, Linseis puede proporcionarle el producto adecuado para mejorar sus investigaciones. Hay innumerables campos de aplicación para los métodos de análisis térmico como la calorimetría de barrido diferencial(DSC), la termogravimetría (TGA) o la medición térmica (TCA) y de transporte eléctrico (HCS) utilizando la técnica LaserFlash (LFA) o nuestra probada plataforma LSR. LINSEIS lidera el camino en cuanto a capacidad de productos.

oblea de silicio

oblea de silicio

resistencias

resistencias

microchip

microchip

componentes electrónicos

componentes electrónicos: placa de circuito

Aplicaciones con Semiconductores

 

HCS – Coeficiente Hall – Antimonio de Bismuto

App. Nr. 02-010-002 HCS - Coeficiente Hall - Semiconductores inorgánicos

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Sistema Hall – Coeficiente Hall – Óxido de Indio y Estaño (ITO)

App. Nr. 02-010-003 Sistema Hall - Coeficiente Hall - Inorgánicos o semiconductores

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HCS – Coeficiente Hall – Película fina de antimonio

App. Nr. 02-010-003 Sistema Hall - Coeficiente Hall - Inorgánicos o semiconductores

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LSR – Teluro de bismuto – Figura de mérito ZT

App. Nr. 02-009-002 LSR - Teluro de bismuto -Cifra de Mérito ZT Coeficiente de Seebeck Conductividad eléctrica Conductividad térmica Propiedades termoeléctricas

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LSR – Constantan – Coeficiente de Seebeck

App. Nr. 02-009-004 LSR - Constantan - Coeficiente de Seebeck - Propiedades termoeléctricas

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LSR – Aleación de Silicio y Germanio – Coeficiente de Seebeck

App. Nr. 02-009-001 LSR - Aleación de Silicio y Germanio - Coeficiente de Seebeck Conductividad eléctrica

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TFA – película fina termoeléctrica Au

App. Nr. 02-013-002 TFA - película delgada termoeléctrica - propiedades termoeléctricas - metales y aleaciones 2

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TFA – película fina termoeléctrica Bi87Sb13

App. Nr. 02-013-001 TFA - película delgada termoeléctrica - propiedades termoeléctricas - semiconductor

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TFA – película delgada termoeléctrica PEDOT:PSS

App. Nr. 02-013-003 TFA - película delgada termoeléctrica - propiedades termoeléctricas - semiconductor

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LSR – Cobre – Conductividad eléctrica

App. Nr. 02-009-005 LSR - Cobre - Conductividad eléctrica

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LSR – Constantan – Coeficiente de Seebeck

App. Nr. 02-009-003 LSR - Constantan - Coeficiente de Seebeck - Propiedades termoeléctricas

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