HCS 1/10/100 – Système de mesure de l’effet Hall
HCS-Système de caractérisation Hall
Description
The L79/HCS Cet appareil permet de caractériser les paramètres suivant des semi-conducteurs: la mobilité, la résistivité, la concentration de porteurs de charge et le coefficient Hall.
Ce dispositifde paillasse peut être équipé de divers porte-échantillons afin d’analyser des échantillons selon leur géométrie et la température. Des systèmes de refroidissement à l’azote liquide et un système de chauffage jusqu’à 240°C (options) permettent de couvrir toute application. Un choix d’aimants permanents et d’électro-aimants couvrent une plage de champs magnétiques soit fixes ou variables jusqu’à plusieurs Tesla.
Le logiciel performant sous Windows permet de tracer des diagrammes I-V et I-R.
Cet appareil permet de caractériser divers matériaux comme par exemple : Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (type N &type P), couches de métaux, oxydes, etc.
Testez les capacités de ce système de mesure et envoyez-nous vos échantillons.
Caractéristiques
- Concentration de porteurs de charge
- Résistivité
- Mobilité
- Conductivité
- Alpha (ratio horizontal/vertical de la résistance)
- Coefficient Hall
- Magnétorésistance
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Caractéristiques
| Modell | L79 HCS |
|---|---|
| Courant d’entrée: | 500nA jusqu’à 10mA (500nA steps) |
| Tension Hall: | 0.5 jusqu’à 4.5V |
| Résolution maximale: | 65pV |
| Dimensions d’échantillon: | 15×15, 20×20, 25x25mm, Hauteur jusqu’à 5mm |
| Champs magnétique: | jusqu’a 1T |
| Température: | refroidissement à l’azote liquide jusqu’à 240°C |
