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HCS 1/10/100 – Système de mesure de l’effet Hall

HCS-Système de caractérisation Hall

Description

The L79/HCS Cet appareil permet de caractériser les paramètres suivant des semi-conducteurs: la mobilité, la  résistivité, la concentration de porteurs de charge et le  coefficient Hall.

Ce dispositifde paillasse peut être équipé de divers porte-échantillons afin d’analyser des échantillons selon leur géométrie et la température. Des systèmes de refroidissement à l’azote liquide et un système de chauffage jusqu’à 240°C (options) permettent de couvrir toute application. Un choix d’aimants permanents et d’électro-aimants couvrent une plage de champs magnétiques soit fixes ou variables jusqu’à plusieurs Tesla.

Le logiciel performant sous Windows permet de tracer des diagrammes I-V et I-R.

Cet appareil  permet de caractériser divers matériaux comme par exemple : Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (type N &type P), couches de métaux, oxydes, etc.

Testez les capacités de ce système de mesure et envoyez-nous vos échantillons.

Caractéristiques

  • Concentration de porteurs de charge
  • Résistivité
  • Mobilité
  • Conductivité
  • Alpha (ratio horizontal/vertical de la résistance)
  • Coefficient Hall
  • Magnétorésistance

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Caractéristiques

ModellL79 HCS
Courant d’entrée:500nA jusqu’à 10mA (500nA steps)
Tension Hall:0.5 jusqu’à 4.5V
Résolution maximale:65pV
Dimensions d’échantillon:15×15, 20×20, 25x25mm, Hauteur jusqu’à 5mm
Champs magnétique:jusqu’a 1T
Température:refroidissement à l’azote liquide jusqu’à 240°C

Téléchargement

Linseis Produktbroschüre L79 HCS Hall

Effet Hall Brochure produit (PDF)

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Linseis Produktbroschüre Thermal Electrics

LSR, LZT, LFA, TF-LFA, TFA, effet Hall
Brochure produit (PDF)

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