X

Hall system – Coefficient de Hall – Inorganiques/semi-conducteurs

Oxyde d’indium et d’étain (ITO) – coefficient de Hall – résistivité – mobilité

L’oxyde d’indium et d’étain (ITO) est un semi-conducteur transparent pour la lumière visible. Il est donc utilisé dans de nombreux domaines d’application où des semi-conducteurs optiquement transparents sont nécessaires. En particulier, les diodes, la microélectronique sur des substrats en verre ou les antennes et capteurs invisibles contiennent souvent des ITO ou en sont constitués.

App. Nr. 02-010-003 Hall system – Coefficient de Hall - Inorganiques/semi-conducteurs

App. Nr. 02-010-003 Hall system – Coefficient de Hall – Inorganiques/semi-conducteurs

Les deux diagrammes montrent une mesure complète du coefficient de Hall, de la mobilité et de la résistivité pour deux échantillons différents de film mince d’ITO (tous deux de 185 nm d’épaisseur) de la température ambiante à 200°C. Les deux échantillons ont été préparés par dépôt par pulvérisation cathodique. La courbe verte du coefficient de Hall donne plus ou moins une valeur constante tandis que la mobilité (orange) et la résistivité augmentent avec la température.

Instruments connexes

HCS 1/10/100

Le système HCS (trois options d’aimants) permet la caractérisation des dispositifs à semi-conducteurs, il mesure : la mobilité, la résistivité, la concentration des porteurs de charge et la constante de Hall

Details