Semiconductores de banda ancha

Análisis de materiales para SiC, GaN y otros semiconductores de banda ancha, con el fin de desarrollar electrónica de potencia energéticamente eficiente y aplicaciones a altas temperaturas.

Los semiconductores de banda ancha, como el carburo de silicio (SiC) y el nitruro de galio (GaN), permiten frecuencias de conmutación más altas, menores pérdidas de energía y temperaturas de funcionamiento más elevadas que los componentes de silicio convencionales. Son la base de la electrónica de potencia moderna en la movilidad eléctrica, la tecnología energética, las aplicaciones industriales y las telecomunicaciones.

El desarrollo de semiconductores de alto rendimiento requiere un profundo conocimiento de sus propiedades térmicas, eléctricas y estructurales. Los métodos de análisis modernos proporcionan información importante sobre la conductividad térmica, el transporte de portadores de carga, la estabilidad térmica y la calidad del material.

Con las soluciones de caracterización de materiales de LINSEIS, se pueden analizar con precisión los semiconductores de banda ancha a lo largo de todo el proceso de desarrollo, desde la investigación de materiales hasta el control de calidad.

Retos típicos de los semiconductores de banda ancha

Cuestiones relevantes

  • ¿Cuál es la conductividad térmica de los materiales de SiC o GaN?
  • ¿Cómo influye la temperatura en las propiedades eléctricas?
  • ¿Qué concentración de portadores de carga tiene el material?
  • ¿Cuál es la movilidad de los portadores de carga?
  • ¿Con qué eficiencia se disipa el calor residual?
  • ¿Qué tensiones térmicas se producen durante el funcionamiento?
  • ¿Cómo afectan los defectos al rendimiento del material?
  • ¿Qué propiedades tienen las capas finas y las capas epitaxiales?
  • ¿Cómo se comporta el material a altas temperaturas?
  • ¿Qué materiales son adecuados para aplicaciones de alto rendimiento?


Parámetros relevantes del material y del proceso


ParámetrosSignificado
Conductividad térmicaDisipación eficiente del calor en semiconductores de potencia
Difusividad térmicaAnálisis de la propagación del calor
Concentración de portadores de cargaEvaluación de la conductividad eléctrica
AgilidadOptimización del rendimiento electrónico
Resistencia eléctricaReducción de las pérdidas de potencia
Coeficiente de HallCaracterización de los portadores de carga
Resistencia de interfazOptimización de la ruta térmica
Espesor de la capaControl de los procesos de capas finas
Estabilidad térmicaFiabilidad a altas temperaturas
Índice de defectosEvaluación de la calidad del material

Métodos de medición para semiconductores de banda ancha

Análisis del efecto Hall (HCS)

Determinación de la concentración de portadores de carga, la movilidad y la resistencia eléctrica para el desarrollo de semiconductores modernos de banda ancha.

Análisis de

  • Concentración de portadores de carga
  • Agilidad
  • Coeficiente Hall
  • Resistencia eléctrica

Aplicaciones típicas

  • SiC
  • GaN
  • AlN
  • Capas epitaxiales

Análisis por destello láser (LFA)

Caracterización de las propiedades de transporte térmico para una gestión térmica eficiente en semiconductores de potencia.

Análisis de

  • Conductividad térmica
  • Difusividad térmica
  • Transporte de calor
  • Propiedades que dependen de la temperatura

Aplicaciones típicas

  • Obleas de SiC
  • Sustratos de GaN
  • Sustratos cerámicos
  • Módulos de rendimiento

Análisis de capas finas (TFA)

Análisis de las propiedades eléctricas y térmicas de capas finas y materiales electrónicos.

Análisis de

  • Transporte eléctrico
  • Resistencia
  • Comportamiento de los portadores de carga
  • Propiedades de las capas finas

Aplicaciones típicas

  • Semiconductores de capa fina
  • Sensores
  • Termoelectricidad
  • Microelectrónica

Analizador de frecuencia por láser de película fina (TF-LFA)

Determinación de la conductividad térmica y de la resistencia térmica de interfaz de capas finas.

Análisis de

  • Conductividad térmica de capas finas
  • Resistencia de interfaz
  • Transporte de calor
  • Estructuras por capas

Aplicaciones típicas

  • chips semiconductores
  • Capas epitaxiales
  • MEMS
  • Microelectrónica

Instrumentos de medición recomendados para semiconductores de banda ancha

Ejemplo práctico: análisis de un semiconductor de banda ancha

Comportamiento de la resistencia en función de la temperatura de las capas finas de Ge-Si-Sn-O

La dependencia de la resistencia eléctrica respecto a la temperatura es un parámetro clave para el desarrollo de sensores infrarrojos y microbolómetros de alto rendimiento. Este ejemplo práctico muestra cómo se fabrican capas finas de Ge-Si-Sn-O mediante el TFA L59 para evaluar su sensibilidad y su idoneidad para las modernas tecnologías de imagen térmica y de sensores.

¿Por qué el análisis de materiales es clave para los semiconductores de banda ancha?

Los sistemas de electrónica de potencia son cada vez más compactos y potentes. Al mismo tiempo, aumentan los requisitos en cuanto a eficiencia, resistencia a la temperatura y fiabilidad.

La combinación de métodos de análisis modernos permite:

  • Determinación de las propiedades térmicas
  • Caracterización de las propiedades de transporte eléctrico
  • Análisis de capas finas e interfaces
  • Análisis de la estabilidad térmica
  • Evaluación de la calidad de los materiales y los defectos
  • Optimización de los procesos de fabricación

Aplicaciones – Semiconductores y electrónica

Preguntas frecuentes: semiconductores de banda ancha

¿Qué son los semiconductores de banda ancha?

Los semiconductores de banda ancha tienen una banda prohibida mayor que el silicio clásico. Entre los más importantes están el carburo de silicio (SiC), el nitruro de galio (GaN) y el nitruro de aluminio (AlN).

Estos materiales permiten frecuencias de conmutación más altas, menores pérdidas de energía, mayores densidades de potencia y temperaturas de funcionamiento más elevadas que los componentes de silicio convencionales.

La conductividad térmica determina la eficiencia con la que se puede disipar el calor residual. Influye directamente en el rendimiento y la vida útil de los componentes electrónicos.

Las mediciones del efecto Hall permiten determinar la concentración de portadores de carga, la movilidad y la conductividad. Estos parámetros son fundamentales para optimizar los componentes electrónicos.

Dependiendo de lo que se quiera averiguar, se utilizan HCS, LFA, TF-LFA, TFA, DSC y STA. La combinación de varios métodos permite una caracterización exhaustiva de los materiales.

Se utilizan en movilidad eléctrica, infraestructura de recarga, energías renovables, electrónica industrial, telecomunicaciones, aeronáutica y aeroespacial, así como en aplicaciones de alta temperatura y alto rendimiento.