Se um semicondutor condutor de corrente for colocado num campo magnético, pode observar-se o chamado efeito Hall. Este efeito é causado pela força de Lorentz, que actua sobre os portadores de carga em movimento num campo magnético.

A força de Lorentz move os portadores de carga num arco perpendicular às linhas do campo magnético. A acumulação dos portadores de carga desviados num dos lados do semicondutor cria um campo elétrico perpendicular ao campo magnético e à direção do fluxo de corrente.

A tensão deste campo pode ser medida e é geralmente designada por tensão Hall _VHall.

Se o campo elétrico da tensão de Hall e a força de Lorentz forem iguais, atinge-se um estado de equilíbrio em que existe uma relação proporcional entre a tensão de Hall _(VH), o campo magnético (B) e a corrente (I), que é conhecida como coeficiente de Hall_(RH). Este depende também da espessura do semicondutor (d).

O coeficiente Hall pode, por conseguinte, ser determinado medindo a tensão Hall para um dado campo magnético e intensidade de corrente e para uma espessura de semicondutor conhecida, utilizando a seguinte fórmula

Dependendo do tipo de amostra (tipo p, tipo n), obtém-se uma tensão Hall positiva ou negativa. Se o transporte também for dominado por um tipo de portador de carga, a densidade de portadores de carga n e a mobilidade m da amostra também podem ser determinadas utilizando a seguinte fórmula:

Com e = carga do portador de carga e ρ = resistência específica do material.

O dispositivo de medição Linseis Hall pode ser utilizado numa vasta gama de temperaturas e está disponível com dois tipos diferentes de ímanes. Podes escolher entre um íman permanente, que mede em três intensidades de campo magnético fixas (campo +, campo 0 e campo -), e um eletroíman, que permite intensidades de campo magnético contínuas.