Analiza materiałów dla branży elektronicznej i półprzewodnikowej
Precyzyjna charakterystyka półprzewodników, warstw cienkich i elementów elektronicznych na potrzeby badań, rozwoju i produkcji
Półprzewodniki i elementy elektroniczne stanowią podstawę nowoczesnych technologii – od mikroprocesorów i elektroniki mocy, przez czujniki, aż po diody LED i systemy fotowoltaiczne. Wraz ze wzrostem gęstości mocy i postępującą miniaturyzacją rosną również wymagania dotyczące jakości materiałów, odprowadzania ciepła i niezawodności.
Rozwój nowoczesnej elektroniki wymaga dogłębnego zrozumienia właściwości termicznych, elektrycznych i strukturalnych materiałów. Nowoczesne metody analityczne dostarczają ważnych informacji na temat przewodności cieplnej, stabilności termicznej, właściwości elektrycznych, struktur warstwowych oraz procesów starzenia.
Dzięki ponad 69-letniemu doświadczeniu firma LINSEIS oferuje rozwiązania do charakteryzowania materiałów półprzewodnikowych, warstw cienkich i elementów elektronicznych w dziedzinie badań, rozwoju oraz przemysłowej kontroli jakości.
Typowe zastosowania w elektronice i półprzewodnikach
Wybierz konkretne zastosowanie i uzyskaj szczegółowe informacje na temat charakterystyki materiałów, metod pomiarowych oraz innowacyjnych rozwiązań dla nowoczesnych systemów elektronicznych
Metody pomiarowe w elektronice i półprzewodnikach
Laserowa analiza błysku (LFA)
Określanie przewodności cieplnej, przewodności temperaturowej i dyfuzji ciepła w celu zapewnienia efektywnego zarządzania temperaturą w półprzewodnikach i elementach elektronicznych.
Analizator częstotliwości laserowej z cienką warstwą (TF-LFA)
Charakterystyka właściwości termicznych cienkich warstw i powierzchni granicznych w nowoczesnej mikroelektronice i technologiach półprzewodnikowych.
Analizator cienkich warstw (TFA)
Analiza przewodności cieplnej ultracienkich warstw, powłok i materiałów elektronicznych na potrzeby badań naukowych i optymalizacji procesów.
Analiza efektu Halla (HCS)
Określanie stężenia nośników ładunku, ruchliwości i oporu elektrycznego na potrzeby opracowywania nowoczesnych materiałów półprzewodnikowych.
Dynamiczna kalorymetria różnicowa (DSC)
Analiza przemian fazowych, pojemności cieplnej oraz reakcji utwardzania w materiałach opakowaniowych, klejach i materiałach elektronicznych.
Jednoczesna analiza termiczna (STA)
Jednoczesna analiza zmian masy i efektów cieplnych w celu zbadania stabilności termicznej i procesów starzenia materiałów elektronicznych.
Urządzenia zalecane do zastosowań związanych z polimerami
Najlepsze urządzenia
Inne urządzenia
CAL L92 - Mikrokalorymetr
DSC L63
TGA HP L85
STA HP L85
Tester TEG (TEG L34)
LSR-3 (LSR L31)
PLH L53 - Okresowe ogrzewanie laserowe
Wybrane przykłady pomiarów z praktyki
Pomiary przeprowadzone w warunkach praktycznych pokazują, w jaki sposób nowoczesne metody analityczne są wykorzystywane do rozwiązywania rzeczywistych problemów związanych z polimerami.
Optymalizacja p-GaN poprzez pomiary efektu Halla
Pomiary z wykorzystaniem efektu Halla umożliwiają precyzyjne określenie stężenia nośników ładunku, ruchliwości oraz oporu elektrycznego w materiałach półprzewodnikowych. W tym przykładzie praktycznym warstwy GaN domieszkowane magnezem są badane za pomocą LINSEIS HCS L36 w celu oceny wpływu domieszkowania na właściwości transportu elektrycznego oraz wydajność nowoczesnych półprzewodników o szerokiej przerwie energetycznej.
Właściwości przewodzenia elektrycznego cienkich warstw Sb₂Te₃
Właściwości elektryczne cienkich warstw mają kluczowe znaczenie dla rozwoju nowoczesnych zastosowań półprzewodników i materiałów termoelektrycznych. Dzięki urządzeniu LINSEIS TFA L59 można precyzyjnie określić zależne od temperatury właściwości rezystancji i nośników ładunku. Niniejszy przykład praktyczny przedstawia charakterystykę cienkich warstw Sb₂Te₃ osadzonych metodą ALD i dostarcza ważnych informacji na temat właściwości transportu elektrycznego w funkcjonalnych materiałach cienkowarstwowych.