HCS – Coeficiente Hall – Inorgánicos/semiconductores
Película fina de antimonio – coeficiente Hall – resistividad – movilidad
Los materiales termoeléctricos y la microelectrónica constituyen un amplio campo de investigación en las industrias modernas. La reducción de escala de los chips de ordenador, las placas electrónicas y los procesadores ha alcanzado mientras tanto rangos de nm y la gestión del calor es cada vez más importante. Como el calor y los campos magnéticos influyen en la mayoría de los materiales, la determinación de la influencia y el comportamiento termoeléctrico es de gran interés.
App. Nr. 02-010-001 HCS – Coeficiente Hall – Inorgánicos/semiconductores
El gráfico actual ilustra la medición del coeficiente Hall, la movilidad y la resistividad de una muestra de película delgada de antimonio (Sb) de 150 nm de espesor, en un rango de temperatura que va desde la temperatura ambiente hasta los 180°C. Se utiliza ampliamente en el campo de los materiales termoeléctricos (en forma de aleaciones, por ejemplo Bi1-xSbx) y como aplicación emergente es el campo de la microelectrónica. Sin embargo, las mayores aplicaciones del antimonio metálico son las placas de plomo-antimonio en las baterías de plomo-ácido. La curva azul muestra la resistividad, que aumenta con la temperatura y es normal para una muestra metálica. La curva naranja es la movilidad del portador de carga que, por supuesto, disminuye a medida que aumenta la resistividad. La curva verde es el coeficiente Hall, que describe la sensibilidad de los portadores de carga a la influencia magnética externa.
