電流を流す半導体を磁場中に置くと、いわゆるホール効果が観測される。これは、磁場中で移動する電荷キャリアに働くローレンツ力によって引き起こされる。

ローレンツ力により、電荷キャリアは磁力線に垂直な弧を描いて移動する。偏向された電荷キャリアが半導体の片面に集積することで、磁場と電流の流れ方向に垂直な電場が形成される。

この電界の電圧は測定可能で、一般にホール電圧_VHallと呼ばれる。

ホール電圧の電界とローレンツ力が等しければ、ホール電圧_（VH）、磁界（B）、電流（I）の間にホール係数_（RH）として知られる比例関係があるように平衡状態に達する。これは半導体の厚さ（d）にも依存する。

ホール係数は、与えられた磁場と電流の強さ、および既知の半導体厚さにおけるホール電圧を測定することにより、以下の式を用いて決定することができる：

試料のタイプ（p型、n型）により、ホール電圧は正または負になります。また、輸送が1種類の電荷キャリアによって支配されている場合、試料の 電荷キャリア密度nと移動度mは 、以下の式を使用して決定することもできます：

e＝電荷キャリアの電荷、ρ＝材料の比抵抗。

リンゼスホール測定器は広い温度範囲で使用でき、2種類の磁石を使用できます。3つの固定磁場強度（+磁場、0磁場、-磁場）で測定する永久磁石と、連続磁場強度が可能な電磁石から選択できます。