ホール効果分析

電流を流す半導体を磁場中に置くと、いわゆるホール効果が観測される。 これは、磁場中で移動する電荷キャリアに働くローレンツ力によって引き起こされる。 ローレンツ力により、電荷キャリアは磁力線に垂直な弧を描いて移動する。 偏向された電荷キャリアが半導体の片面に集積することで、磁場と電流の流れ方向に垂直な電場が形成される。 この電界の電圧は測定可能で、一般にホール電圧V_Hallと呼ばれる。 ホール電圧の電界とローレンツ力が等しければ、ホール電圧（V_H）、磁界（B）、電流（I）の間にホール係数（R_H）として知られる比例関係があるように平衡状態に達する。 これは半導体の厚さ（d）にも依存する。 ホール係数は、与えられた磁場と電流の強さ、および既知の半導体厚さにおけるホール電圧を測定することにより、以下の式を用いて決定することができる： 試料のタイプ（p型、n型）により、ホール電圧は正または負になります。 また、輸送が1種類の電荷キャリアによって支配されている場合、試料の 電荷キャリア密度nと移動度mは 、以下の式を使用して決定することもできます： e＝電荷キャリアの電荷、ρ＝材料の比抵抗。 リンゼスホール測定器は広い温度範囲で使用でき、2種類の磁石を使用できます。3つの固定磁場強度（+磁場、0磁場、-磁場）で測定する永久磁石と、連続磁場強度が可能な電磁石から選択できます。