霍尔效应

L79/HCS-霍尔效应测量系统

L79/HCS系统可用于半导体组件性能表征,包括:迁移率,电阻率,载流子浓度和霍尔常数。

基本型提供不同形状和温度条件下所需的样品支架。选配低温(液氮)附件结合高温炉(最高温度可达240°C)可保证所有应用领域环境条件下的测试。永磁体和电磁铁可提供高达数个特斯拉强度的固定或者可变磁场。

基于测量软件可显示的视窗内容包括I-V I-R 数据图.

系统可测试多种材料包括Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N 型或P型均可测量), 金属膜, 氧化物等. 样品测试时便可完成系统功能演示

 

特点

载流子浓度

电阻率

迁移率

电导率

α (水平电阻值/垂直电阻值)

霍尔常数

磁致电阻

输入电流: 500nA 10mA (500nA 步长)
霍尔电压: 0.5 4.5V
极限分辨率: 65pV
样品形状:15x15, 20x20, 25x25mm, 高度可达 5mm
磁场强度: 可达 1T
传感器: 液氮温度到 240°C