Hall Effect

L79/HCS-Sistema per caratterizzazione Hall

Il sistema L79/HCS permette la caratterizzazione di semiconduttori, la misura di mobilità, resistenza elettrica, concentrazione porta carica e coefficiente Hall. La struttura di lavoro offre porta campioni con diverse geometrie e campi di temperatura. Un opzionale accessorio per temperature basse (LN2) ed una versione per temperature fino a 240°C apre un grande campo di applicazione.

Un magnete permanente o un elettromagnete genera un campo magnetico fisso o variabile fino parecchi tessla. Il onnicomprensivo software di base Windows prevede I-V e I-R Plot. Il sistema può essere utilizzato per la caratterizzazione di materiali vari inclusi Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N tipo & P tipo può essere misurato), metalli. Il sistema può essere utilizzato per la caratterizzazione di vari stati di materiali, ossidi ect. Una misura del campione può dimostrare la capacità del sistema.

Dati tecnici di misura

• Concentrazione porta carica

• Resistenza elettrica

• Mobilità

• Conduttività

• Alpha (orizzontale/verticale razione della resistenza)

• Coefficiente Hall

• Megnetoresistance

Ingresso tensione: 500nA fino 10mA (passi da 500nA)
Tensione Hall: 0.5 fino 4.5V
Mass. risoluzione: 65pV
Geometria campione:15x15, 20x20, 25x25mm, fino 5mm in altezza
Campo magnetico: fino 1T
Sensori: LN fino 240°C