Effet Hall

L79/HCS-Système de caractérisation Hall

The L79/HCS Cet appareil permet de caractériser les paramètres suivant des semi-conducteurs: la mobilité, la  résistivité, la concentration de porteurs de charge et le  coefficient Hall.

Ce dispositifde paillasse peut être équipé de divers porte-échantillons afin d’analyser des échantillons selon leur géométrie et la température. Des systèmes de refroidissement à l’azote liquide et un système de chauffage jusqu’à 240°C (options) permettent de couvrir toute application. Un choix d’aimants permanents et d’électro-aimants couvrent une plage de champs magnétiques soit fixes ou variables jusqu’à plusieurs Tesla.

Le logiciel performant sous Windows permet de tracer des diagrammes I-V et I-R.

Cet appareil  permet de caractériser divers matériaux comme par exemple : Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (type N &type P), couches de métaux, oxydes, etc.

Testez les capacités de ce système de mesure et envoyez-nous vos échantillons.

Caractéristiques
• Concentration de porteurs de charge
• Résistivité
• Mobilité
• Conductivité
• Alpha (ratio horizontal/vertical de la résistance)
• Coefficient Hall
• Magnétorésistance

Courant d’entrée: 500nA jusqu’à 10mA (500nA steps)
Tension Hall: 0.5 jusqu’à 4.5V
Résolution maximale: 65pV
Dimensions d’échantillon:15x15, 20x20, 25x25mm, Hauteur jusqu’à 5mm
Champs magnétique: jusqu’a 1T
Température: refroidissement à l’azote liquide jusqu’à 240°C