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Effet Hall

L79/HCS-Système de caractérisation Hall

The L79/HCS Cet appareil permet de caractériser les paramètres suivant des semi-conducteurs: la mobilité, la  résistivité, la concentration de porteurs de charge et le  coefficient Hall.

Ce dispositifde paillasse peut être équipé de divers porte-échantillons afin d’analyser des échantillons selon leur géométrie et la température. Des systèmes de refroidissement à l’azote liquide et un système de chauffage jusqu’à 240°C (options) permettent de couvrir toute application. Un choix d’aimants permanents et d’électro-aimants couvrent une plage de champs magnétiques soit fixes ou variables jusqu’à plusieurs Tesla.

Le logiciel performant sous Windows permet de tracer des diagrammes I-V et I-R.

Cet appareil  permet de caractériser divers matériaux comme par exemple : Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (type N &type P), couches de métaux, oxydes, etc.

Testez les capacités de ce système de mesure et envoyez-nous vos échantillons.

Caractéristiques

  • Concentration de porteurs de charge
  • Résistivité
  • Mobilité
  • Conductivité
  • Alpha (ratio horizontal/vertical de la résistance)
  • Coefficient Hall
  • Magnétorésistance

L79 HCS

Linseis Hall L79 HCS

Le système L79 / HCS permet la caractérisation de dispositifs à semi-conducteurs, il mesure: la résistivité, la concentration et la mobilité des porteurs de charge et la constante de Hall

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TFA

Linseis TFA

Dispositif unique au monde pour une caractérisation complète des couches minces de l’échelle des nanomètres aux micromètres

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