Efecto Hall

Sistema de caracterizacionL79/HCS-Hall

El sistema HCS L79 permite la caracterización de dispositivos semiconductores, mide: movilidad, resistividad, concentración de portadores de carga y coeficiente de Hall.

La instalación de aparato sobremesa ofrece diferentes soportes de muestra para diferentes geometrías y requisitos de temperatura. Hay una opción de baja temperatura (LN2) y una versión de alta temperatura hasta 240°C, asegurando que todos los campos de aplicación pueden ser cubiertos . Los imanes permanentes y eléctricos proveen un campo magnético fijo o variable hasta varios Tesla.

El software basado en Windows ofrece curvas I-V e I-R.

El sistemapuedeser utilizado para caracterizar varios materiales incluyendo Si, SiGe , SiC , GaAs, InGaAs , InP , GaN (N & P Tipo Tipo se puede medir ) , capas de metal , óxidos , etc .. Se puede hacer una demostracion del sistema para ver la capacidad de la misma.

Features

• Concentracion de portadores

• Resisitividad

• Mobilidad

• Conductividad

• Alpha (Ratio Resistencia horizontal/vertical)

• Coeficiente Hall

• Megnetoresistancia

Corriente entrante : 500nA hasta 10mA (pasos de 500nA)
Tension Hall: 0.5 a 4.5V
Resolucionmax.: 65pV
Geomtria de muestra:15x15, 20x20, 25x25mm, hasta 5mm altura
Campo magnético: hasta 1T
Sensores: LN hasta 240°C